周三盘后简讯,mosfet概念报跌,宏微科技(-2.927%)领跌,闻泰科技、富满微、立昂微、华润微等跟跌。
相关mosfet上市公司有:
新洁能:公司是功率半导体设计龙头,是国内最早同时拥有沟槽型功率、超结功率、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一。第三代半导体作为当下最有希望弯道超车的行业,已获得6项专利授权,一项国际发明专利受理中。SiC二极管系列产品和GaN系列产品即将推出,并自有知识产权。
民德电子:公司目前以硅基功率器件为基本盘,并积极布局第三代半导体相关产品,此次定增项目之一“碳化硅功率器件的研发和产业化项目”,主要从事面向新型能源供给的600V-1700V碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等产品的设计研发和产业化;后续公司会不断丰富公司功率半导体产品线,进一步提升公司在功率半导体产业的核心竞争力。
捷捷微电:具备一流的技术创新能力、良好的市场信誉和业务网络,是国内电力半导体器件领域中,晶闸管器件及芯片方片化IDM的半导体厂商。公司立足于功率器件利基市场,在保障拳头业务晶闸管增长稳健的同时,加速在大赛道领域(MOSFET等)拓展。
国星光电:SBD、MOSFET、DFN、QFN等计划年底前小批量产。
扬杰科技:扬杰科技是国内领先的功率半导体IDM厂商,具备完善的芯片设计、晶圆制造、封装检测能力。公司主要产品为各类二极管整流桥,并逐步往MOSFET、IGBT、第三代半导体功率器件等高端产品延伸。公司拥有大规模成熟制程晶圆产线,并凭借IDM的优秀模式和高效运营取得高盈利能力,利润率领先同行。
士兰微:公司是中国集成电路设计行业的领先企业,已掌握和拥有的技术可从事中高端产品的开发,核心技术在中国同行业中处于较高水平,具有明显的竞争优势。功率驱动模块的核心是高压的650V半桥驱动集成电路和IGBT、高压MOSFET、快恢复二极管等功率半导体器件,公司经过近5年的持续技术攻关,已经在自己的芯片生产线上全部实现了上述几类关键集成电路和器件的研发与批量生产,是目前国内唯一一家全面掌握上述核心技术的芯片厂家。
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