新洁能公司消息:产品结构持续优化,MOS向屏蔽栅和超结发力,下面同老李一起去看看。
产品结构持续优化,MOS向屏蔽栅和超结发力。沟槽MOS(Trench-MOSFET)作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台,销售占比从20年的55.79%下降至21年的45.31%;屏蔽栅MOS(SGTMOSFET)占比从21年的31.69%提升至21年的38.96%;12寸650V-700V超结MOS已进入稳定量产,超结四代平台形成了500V-700V完整的产品系列,同时积极发展200V低压产品的开发,今年以来超结MOS持续在服务器、充电桩、OBC、照明等领域发力。
下游领域向汽车、光伏、工业发力,消费领域占比持续下降。公司2021年度积极发展汽车电子、光伏逆变和光伏储能、5G基站电源、工业自动化、高端电动工具等中高端行业。
今年以来国内疫情导致下游行业需求放缓,部分中低端功率芯片价格松动,目前公司大多数产品价格仍坚挺,22Q1毛利率39.72%,相比21年全年毛利水平还有0.6pct的提升,且公司下游结构逐步向高端领域发展,未来公司的成长确定性会变得更强。
光伏IGBT爆发,22年有望维持高速增长。2021年IGBT实现8051万元的销售,同比增长529.44%。目前公司的IGBT单管在光伏储能、工控、变频家电等领域实现了大量销售。公司12寸1200V高频低饱和压降IGBT产品已经稳定量产,使用载流子存储技术的650V高密度沟槽栅IGBT产品已初步开发完成,多款IGBT模块产品进入小批量生产。
定增发力IPM和PIM领域,实现IGBT领域多元发展。5月非公开获得核准,拟募资14.18亿元,用于开拓第三代半导体SiC/GaN功率器件、功率驱动IC及智能功率模块(IPM)、SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块(含车规级)的产业化。白电为IPM重要下游市场,公司已成功研发部分栅极驱动器IC产品,少量产品已量产并实现收入。功率集成模块(PIM)是电机控制系统中的核心器件,我们预计2025年国内新能源乘用车对应IGBT模块市场需求在162亿元,空间广阔。