12月23日早盘数据提示,DRAM芯片概念报涨,北京君正(132.11,2.205%)领涨,兆易创新(171.56,0.281%)、深科技(16.39,0.183%)等跟涨。
DRAM芯片概念上公司名单一览
北京君正:12月23日消息,北京君正12月22日主力净流入1.55亿元,超大单净流入8709.87万元,大单净流入6775.92万元,散户净流出1.37亿元。
DRAM芯片国内领先,收购北京矽成,形成“CPU+存储器”平台。
兆易创新:资金流向数据方面,12月23日主力资金净流流入2.3亿元,超大单资金净流入1.4亿元,大单资金净流入8975.8万元,散户资金净流出1.37亿元。
国内唯一主营DRAM芯片设计上市公司。
深科技:12月23日消息,深科技12月22日主力净流出5139.63万元,超大单净流出3917.39万元,大单净流出1222.24万元,散户净流入3084.23万元。
北方华创:12月22日该股主力净流出1.89亿元,超大单净流出1.38亿元,大单净流出5107.46万元,中单净流出1334.32万元,散户净流入2.03亿元。
公司半导体加工设备覆盖14纳米DRAM芯片产品。
通富微电:12月23日消息,通富微电12月22日主力资金净流入951.81万元,超大单资金净流入1533.56万元,大单资金净流出581.75万元,散户资金净流入296.88万元。
太极实业:12月22日消息,太极实业主力净流入195.21万元,超大单净流出239.97万元,散户净流出496.04万元。
子公司海太半导体,通过持续投入,加快导入19纳米高新技术DRAM存储器芯片的封装技术和测试技术,大大提高了产品的存储速度及存储容量的同时降低了产品功耗,促使海太在DRAM的封测代工领域实现了与世界领先技术水平的接轨。
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