衬底环节:天岳先进、天科合达、露笑科技;
IDM系列:三安光电、民德电子;
器件环节:中瓷电子、斯达半导、时代电气、士兰微;
材料环节:博敏电子;
设备环节晶升装备、德龙激光、宇环数控、晶盛机电。
天科合达介绍:
北京天科合达半导体股份有限公司于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立,目前注册资本为47940万元,是一家专业从事第三代半导体碳化硅(SiC)晶片研发、生产和销售的高新技术企业。公司为全球SiC晶片的主要生产商之一。公司坚持现代企业管理,具备完整、规范的管理体系,已通过ISO9001:2015质量管理体系认证。
目前公司拥有一个研发中心和三家全资子公司,产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备和碳化硅单晶衬底制备。总部公司设在北京市大兴区生物医药基地,拥有一个研发中心和一个集晶体生长-晶体加工-晶片加工-清洗检测的全套碳化硅晶片生产基地;三家全资子公司分别位于辽宁沈阳市、新疆石河子市和江苏徐州市。