12月20日盘后简讯,DRAM芯片概念报跌,深科技(16.04,-0.77,-4.581%)领跌,兆易创新(163.48,-3.66,-2.19%)、深圳华强(16.25,-0.32,-1.931%)、通富微电(19.14,-0.31,-1.594%)、北方华创(343,-2.5,-0.724%)等跟跌。以下是相关概念股票:
北京君正:DRAM芯片国内领先,收购北京矽成,形成“CPU+存储器”平台。
澜起科技:
太极实业:公司同海力士成立合资公司海太半导体,从事DRAM芯片封测业务,目前公司投资已经收到成效,成功转型为半导体企业,盈利能力也有所提升。
北方华创:公司半导体加工设备覆盖14纳米DRAM芯片产品。
通富微电:
深圳华强:
兆易创新:今年上半年将推自主品牌存储芯片产品。公司主要业务为闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品(MCU)、传感器和动态随机存取存储器(DRAM)的研发、技术支持和销售。目前全球DRAM的市场规模约1000亿美元,具有举足轻重的地位。DRAM芯片研发成功将对公司未来业绩增长提供新动力。
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